文献
J-GLOBAL ID:200902175422139377
整理番号:94A0233852
けい素中のりんの放射線誘起拡散
Radiation-stimulated diffusion of phosphorous in silicon.
著者 (1件):
MAK V T
(I.I. Mechnikov Univ., Odessa)
資料名:
Technical Physics
(Technical Physics)
巻:
38
号:
3
ページ:
246-247
発行年:
1993年03月
JST資料番号:
E0952A
ISSN:
1063-7842
CODEN:
TEPHEX
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)