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文献
J-GLOBAL ID：200902175523598305
整理番号：93A0188239
Si上に成長させたSi1-xGexのRamanスペクトルに及ぼす熱アニールの効果
Effect of thermal annealing on the Raman spectrum of Si1-xGex grown on Si.
NAKANO N
(Massachusetts Inst. Technology, Massachusetts)
,
MARVILLE L
(Massachusetts Inst. Technology, Massachusetts)
,
JANG S-M
(Massachusetts Inst. Technology, Massachusetts)
,
LIAO K
(Massachusetts Inst. Technology, Massachusetts)
,
TSAI C
(Massachusetts Inst. Technology, Massachusetts)
,
TSAI J
(Massachusetts Inst. Technology, Massachusetts)
,
KIM H-W
(Massachusetts Inst. Technology, Massachusetts)
,
REIF R
(Massachusetts Inst. Technology, Massachusetts)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 73 号： 1 ページ： 414-417 発行年： 1993年01月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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