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文献
J-GLOBAL ID：200902175584765018
整理番号：97A0841070
Step-controlled epitaxial growth of SiC: high quality homoepitaxy.
MATSUNAMI H
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
KIMOTO T
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名：
Materials Science & Engineering. R. Reports
(Materials Science & Engineering. R. Reports)
巻： R20 号： 3 ページ： XV-XVI,125-166 発行年： 1997年08月
JST資料番号： T0341A ISSN： 0927-796X 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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