文献
J-GLOBAL ID:200902175773148755
整理番号:00A0151393
埋込みアンチモン層上への無応力,無欠陥エピタキシャルシリコンの生成
Producing Stress- and Fault-Free Epitaxial Silicon Over Buried Antimony Layers.
著者 (2件):
TURNER T J
(Micro-Rel Division Medtronic, Arizona)
,
PETERSEN S F
(Micro-Rel Division Medtronic, Arizona)
資料名:
Proceedings. IEEE/CPMT International Electronics Manufacturing Technology Symosium
(Proceedings. IEEE/CPMT International Electronics Manufacturing Technology Symosium)
巻:
24th
ページ:
163-169
発行年:
1999年
JST資料番号:
T0858A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)