文献
J-GLOBAL ID:200902175876116240
整理番号:93A0389394
Semi-insulating iron-doped indium phosphide grown by low-pressure metal-organic chemical vapour deposition.
著者 (5件):
WU C C
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
FENG M S
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
LIN K C
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
CHAN S H
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
CHANG C Y
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名:
Journal of Materials Science. Materials in Electronics
(Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻:
4
号:
1
ページ:
62-66
発行年:
1993年03月
JST資料番号:
W0003A
ISSN:
0957-4522
CODEN:
JMTSAS
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)