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文献
J-GLOBAL ID：200902175951166495
整理番号：00A1029311
SiC上のAlGaN/GaN金属-酸化物-半導体ヘテロ構造電界効果トランジスタ
AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor heterostructure field-effect transistors on SiC substrates.
KHAN M A
(Univ. South Carolina, South Carolina)
,
HU X
(Univ. South Carolina, South Carolina)
,
TARAKJI A
(Univ. South Carolina, South Carolina)
,
SIMIN G
(Univ. South Carolina, South Carolina)
,
YANG J
(Univ. South Carolina, South Carolina)
,
GASKA R
(Sensor Electronic Technol., Inc., New York)
,
SHUR M S
(Rensselaer Polytechnic Inst., New York)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 77 号： 9 ページ： 1339-1341 発行年： 2000年08月28日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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