文献
J-GLOBAL ID:200902176145834476
整理番号:99A0248534
有機金属化学気相堆積によるc軸配向Pb5Ge3O11薄膜の強誘電特性
The ferroelectric properties of c-axis oriented Pb5Ge3O11 thin films prepared by metalorganic chemical vapor deposition.
著者 (3件):
LI T
(Sharp Microelectronics Technol. Inc., Washington)
,
ZHANG F
(Sharp Microelectronics Technol. Inc., Washington)
,
HSU S T
(Sharp Microelectronics Technol. Inc., Washington)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
74
号:
2
ページ:
296-298
発行年:
1999年01月11日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)