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文献
J-GLOBAL ID：200902176223850483
整理番号：98A0135314
Si(111)上に分子ビームエピタクシーにより成長させたGaN及びAlN層の形態と特性へのIII/V比と基板温度の影響
The effect of the III/V ratio and substrate temperature on the morphology and properties of GaN- and AlN-layers grown by molecular beam epitaxy on Si(111).
SANCHEZ-GARCIA M A
(UPM, Madrid, ESP)
,
CALLEJA E
(UPM, Madrid, ESP)
,
MONROY E
(UPM, Madrid, ESP)
,
SANCHEZ F J
(UPM, Madrid, ESP)
,
CALLE F
(UPM, Madrid, ESP)
,
MUNOZ E
(UPM, Madrid, ESP)
,
BERESFORD R
(UPM, Madrid, ESP)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 183 号： 1/2 ページ： 23-30 発行年： 1998年01月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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