文献
J-GLOBAL ID:200902176263475553
整理番号:01A0690624
RF-MBEによる3C-SiC上の立方晶InGaNエピ層の成長及び特性評価
Growth and characterization of cubic InGaN epilayers on 3C-SiC by RF MBE.
著者 (8件):
KITAMURA T
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
,
CHO S H
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
,
ISHIDA Y
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
,
IDE T
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
,
SHEN X Q
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
,
NAKANISHI H
(Sci. Univ. Tokyo, Chiba, JPN)
,
CHICHIBU S
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
,
OKUMURA H
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
227/228
ページ:
471-475
発行年:
2001年07月
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)