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文献
J-GLOBAL ID:200902176272211453   整理番号:96A0705952

0.9μm~10μm以上の波長領域のレーザダイオード用の新しいIII-V化合物半導体としてのTlInGaPとこれらの初めて成功した成長

New III-V Compound Semiconductors TlInGaP for 0.9 μm to over 10 μm Wavelength Range Laser Diodes and Their First Successful Growth.
著者 (5件):
ASAHI H
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
YAMAMOTO K
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
IWATA K
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
GONDA S
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
OE K
(NTT Opto-Electronics Lab., Kanagawa, JPN)

資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)

巻: 35  号: 7B  ページ: L876-L879  発行年: 1996年07月15日 
JST資料番号: F0599B  ISSN: 0021-4922  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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