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文献
J-GLOBAL ID：200902176272211453
整理番号：96A0705952
0.9μm~10μm以上の波長領域のレーザダイオード用の新しいIII-V化合物半導体としてのTlInGaPとこれらの初めて成功した成長
New III-V Compound Semiconductors TlInGaP for 0.9 μm to over 10 μm Wavelength Range Laser Diodes and Their First Successful Growth.
ASAHI H
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
YAMAMOTO K
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
IWATA K
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
GONDA S
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
OE K
(NTT Opto-Electronics Lab., Kanagawa, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 35 号： 7B ページ： L876-L879 発行年： 1996年07月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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