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文献
J-GLOBAL ID:200902176284075016   整理番号:02A0322513

高周波マグネトロンスパッタリングにより堆積したSiO2膜の機械的性質に及ぼすO2ガス分圧の効果

Effect of O2 gas partial pressure on mechanical properties of SiO2 films deposited by radio frequency magnetron sputtering.
著者 (3件):
FUJIYAMA H
(Fukuoka Inst. Technol., Fukuoka, JPN)
SUMOMOGI T
(Hiroshima Kokusai Gakuin Univ., Hiroshima, JPN)
ENDO T
(Hiroshima Kokusai Gakuin Univ., Hiroshima, JPN)

資料名:
Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)

巻: 20  号:ページ: 356-361  発行年: 2002年03月 
JST資料番号: C0789B  ISSN: 0734-2101  CODEN: JVTAD6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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