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文献
J-GLOBAL ID：200902176306556498
整理番号：95A0298536
4H SiCの電子有効質量
Electron effective masses in 4H SiC.
SON N T
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
,
CHEN W M
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
,
KORDINA O
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
,
MONEMAR A O K B
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
,
JANZ<span style=text-decoration:overline>E ́</span>N E
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
,
HOFMAN D M
(Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU)
,
VOLM D
(Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU)
,
DRECHSLER M
(Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU)
,
MEYER B K
(Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 66 号： 9 ページ： 1074-1076 発行年： 1995年02月27日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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