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文献
J-GLOBAL ID：200902176323557970
整理番号：98A0360349
イオン注入した窒化ガリウムのアニーリング
Annealing of ion implanted gallium nitride.
TAN H H
(Australian National Univ., ACT, AUS)
,
WILLIAMS J S
(Australian National Univ., ACT, AUS)
,
ZOU J
(Univ. Sydney, New South Wales, AUS)
,
COCKAYNE D J H
(Univ. Sydney, New South Wales, AUS)
,
PEARTON S J
(Univ. Florida, Florida)
,
ZOLPER J C
(Sandia National Lab., New Mexico)
,
STALL R A
(EMCORE, Corp., New Jersey)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 72 号： 10 ページ： 1190-1192 発行年： 1998年03月09日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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