文献
J-GLOBAL ID:200902176537241082
整理番号:93A1000414
けい素素子のパイ中間子誘起はじき出し損傷
Pion induced displacement damage in silicon devices.
著者 (2件):
HUHTINEN M
(Univ. Helsinki, FIN)
,
AARNIO P A
(Helsinki Univ. Technology, Espoo, FIN)
資料名:
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section A. Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment
(Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section A. Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment)
巻:
335
号:
3
ページ:
580-582
発行年:
1993年11月01日
JST資料番号:
D0208B
ISSN:
0168-9002
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)