文献
J-GLOBAL ID:200902176573812266
整理番号:93A0968876
ヘテロ接合バイポーラトランジスタにおけるエミッタ電流集中効果の検討
Investigation of emitter current crowding effect in heterojunction bipolar transistors.
著者 (3件):
FOURNIER V
(France Telecom, Bagneux, FRA)
,
DANGLA J
(France Telecom, Bagneux, FRA)
,
DUBON-CHEVALLIER C
(France Telecom, Bagneux, FRA)
資料名:
Electronics Letters
(Electronics Letters)
巻:
29
号:
20
ページ:
1799-1800
発行年:
1993年09月30日
JST資料番号:
A0887A
ISSN:
0013-5194
CODEN:
ELLEAK
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)