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J-GLOBAL ID：200902176592237680 整理番号：01A0083828

プラズマ露出シリコンカーバイド上接触抵抗の改善

Improvement of contact resistances on plasma-exposed silicon carbide.

著者 (4件)：

CHEUNG R

(Univ. Canterbury, Christchurch, NZL)

HAY J

(Univ. Canterbury, Christchurch, NZL)

VAN DER DRIFT E

(Technical Univ. Delft, Delft, NLD)

GAO W

(Univ. Auckland, NZL)

資料名：

Solid-State Electronics (Solid-State Electronics)

巻： 44 号： 11 ページ： 2081-2083 発行年： 2000年11月
JST資料番号： H0225A ISSN： 0038-1101 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

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