文献
J-GLOBAL ID:200902176680146856
整理番号:93A0866782
多孔質シリコンのギャップ中央局在状態と発光
Midgap localized states and light emission of porous silicon.
著者 (7件):
ZHENG X Q
(Nanjing Univ., Nanjing, CHN)
,
LIU C E
(Nanjing Univ., Nanjing, CHN)
,
BAO X M
(Nanjing Univ., Nanjing, CHN)
,
YAN F
(Nanjing Univ., Nanjing, CHN)
,
YANG H C
(Nanjing Univ., Nanjing, CHN)
,
CHEN H C
(State Univ. New York at Albany, NY)
,
ZHENG X L
(State Univ. New York at Albany, NY)
資料名:
Solid State Communications
(Solid State Communications)
巻:
87
号:
11
ページ:
1005-1007
発行年:
1993年09月
JST資料番号:
H0499A
ISSN:
0038-1098
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)