文献
J-GLOBAL ID:200902176798511850
整理番号:93A0937350
けい素およびサファイア基板上のGaN薄膜におけるヘテロエピタクシー,多形および積層欠陥
Heteroepitaxy, polymorphism, and faulting in GaN thin films on silicon and sapphire substrates.
著者 (3件):
LEI T
(Boston Univ., Massachusetts)
,
LUDWIG K F JR
(Boston Univ., Massachusetts)
,
MOUSTAKAS T D
(Boston Univ., Massachusetts)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
74
号:
7
ページ:
4430-4437
発行年:
1993年10月01日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)