文献
J-GLOBAL ID:200902176824263763
整理番号:93A0319861
“逆狭小幅効果と小寸法MOSFETしきい値電圧モデル”に関するコメント
Comment on “Inverse-Narrow-Width Effects and Small-Geometry MOSFET Threshold Voltage Model”.
著者 (6件):
BHATIA M
(Univ. Delhi South Campus, New Delhi, IND)
,
GUPTA R S
(Univ. Delhi South Campus, New Delhi, IND)
,
HSUEH K K L
(Gould AMI Semiconductor, ID)
,
SANCHEZ J J
(Intel Corp., AZ)
,
DEMASSA T A
(Arizona State Univ., AZ)
,
AKERS L A
(Arizona State Univ., AZ)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
40
号:
3
ページ:
681-682
発行年:
1993年03月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)