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文献
J-GLOBAL ID：200902176827368043
整理番号：97A0669597
ガス源分子線エピタクシー法により成長させたInGaNおよびGaNの光ルミネセンス測定
Photoluminescence measurement of InGaN and GaN grown by a gas-source molecular-beam epitaxy method.
YOSHIDA S
(Optoelectronics Technol. Res. Lab., Ibaraki, JPN)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 81 号： 12 ページ： 7966-7969 発行年： 1997年06月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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