文献
J-GLOBAL ID:200902176853422358
整理番号:01A0503816
裏面パルスイオンビーム蒸発によって作製した強誘電体薄膜
Ferroelectric Thin Films Prepared by Backside Pulsed Ion-Beam Evaporation.
著者 (5件):
SONEGAWA T
(Univ. Ryukyus, Okinawa, JPN)
,
ARAKAKI T
(Univ. Ryukyus, Okinawa, JPN)
,
MAEHAMA T
(Univ. Ryukyus, Okinawa, JPN)
,
JIANG W
(Nagaoka Univ. Technol., Niigata, JPN)
,
YATSUI K
(Nagaoka Univ. Technol., Niigata, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
40
号:
2B
ページ:
1049-1051
発行年:
2001年02月28日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)