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文献
J-GLOBAL ID：200902176894345600
整理番号：98A0793852
GaNヘテロエピタキシーにおける転位の生成
Dislocation generation in GaN heteroepitaxy.
WU X H
(Univ. California, CA, USA)
,
FINI P
(Univ. California, CA, USA)
,
TARSA E J
(Univ. California, CA, USA)
,
HEYING B
(Univ. California, CA, USA)
,
KELLER S
(Univ. California, CA, USA)
,
MISHRA U K
(Univ. California, CA, USA)
,
DEN BAARS S P
(Univ. California, CA, USA)
,
SPECK J S
(Univ. California, CA, USA)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 189/190 ページ： 231-243 発行年： 1998年06月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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