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文献
J-GLOBAL ID：200902176914032310
整理番号：96A0691369
A Critical Look at the Performance Advantages and Limitations of 4H-SiC Power UMOSFET Structures.
AGARWAL A K
(Westinghouse Sci. & Technol. Center, PA)
,
SIERGIEJ R R
(Westinghouse Sci. & Technol. Center, PA)
,
SESHADRI S
(Westinghouse Sci. & Technol. Center, PA)
,
WHITE M H
(Lehigh Univ., PA)
,
MCMULLIN P G
(Westinghouse Sci. & Technol. Center, PA)
,
BURK A A
(Westinghouse Sci. & Technol. Center, PA)
,
ROWLAND L B
(Westinghouse Sci. & Technol. Center, PA)
,
BRANDT C D
(Westinghouse Sci. & Technol. Center, PA)
,
HOPKINS R H
(Westinghouse Sci. & Technol. Center, PA)
資料名：
Proceedings of the 8th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC’s, 1996
(Proceedings of the 8th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's, 1996)
ページ： 119-122 発行年： 1996年
JST資料番号： K19960461 ISBN： 0-7803-3107-9 資料種別： 会議録 (C)
発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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