文献
J-GLOBAL ID:200902177064607331
整理番号:99A0190139
VHF PECVDによるa-Si:H及びa-SiNx:Hの高速蒸着
High rate deposition of a-Si:H and a-SiNx:H by VHF PECVD.
著者 (5件):
TAKAGI T
(ANELVA Corp., Tokyo, JPN)
,
TAKECHI K
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
,
NAKAGAWA Y
(ANELVA Corp., Tokyo, JPN)
,
WATABE Y
(ANELVA Corp., Tokyo, JPN)
,
NISHIDA S
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
資料名:
Vacuum
(Vacuum)
巻:
51
号:
4
ページ:
751-755
発行年:
1998年12月
JST資料番号:
E0347A
ISSN:
0042-207X
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)