文献
J-GLOBAL ID:200902177091461144
整理番号:97A0501297
SiO2薄膜中のSi-H,Si-O-HおよびSi-O-O-H欠陥の分子軌道法による解析
Analysis of Si-H, Si-O-H and Si-O-O-H Defects in SiO2 Thin Film by Molecular Orbital Method.
著者 (3件):
KANASHIMA T
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
OKUYAMA M
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
HAMAKAWA Y
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
36
号:
3B
ページ:
1448-1452
発行年:
1997年03月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)