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文献
J-GLOBAL ID:200902177124255847   整理番号:01A0295245

分子線エピタクシーによりGaAs(100),(311)Aおよび(331)A基板に成長させたFeの表面形態の変化

Evolution of the surface morphology of Fe grown on GaAs (100), (311)A, and (331)A substrates by molecular beam epitaxy.
著者 (4件):
SCHOENHERR H-P
(Paul Drude Inst. Solid State Electronics, Berlin, DEU)
NOETZEL R
(Paul Drude Inst. Solid State Electronics, Berlin, DEU)
MA W
(Paul Drude Inst. Solid State Electronics, Berlin, DEU)
PLOOG K H
(Paul Drude Inst. Solid State Electronics, Berlin, DEU)

資料名:
Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)

巻: 89  号:ページ: 169-173  発行年: 2001年01月01日 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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