文献
J-GLOBAL ID:200902177124255847
整理番号:01A0295245
分子線エピタクシーによりGaAs(100),(311)Aおよび(331)A基板に成長させたFeの表面形態の変化
Evolution of the surface morphology of Fe grown on GaAs (100), (311)A, and (331)A substrates by molecular beam epitaxy.
著者 (4件):
SCHOENHERR H-P
(Paul Drude Inst. Solid State Electronics, Berlin, DEU)
,
NOETZEL R
(Paul Drude Inst. Solid State Electronics, Berlin, DEU)
,
MA W
(Paul Drude Inst. Solid State Electronics, Berlin, DEU)
,
PLOOG K H
(Paul Drude Inst. Solid State Electronics, Berlin, DEU)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
89
号:
1
ページ:
169-173
発行年:
2001年01月01日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)