文献
J-GLOBAL ID:200902177179110988
整理番号:93A0594968
低コレクタ供給電圧下でのAlGaAs/GaAsヘテロ接合バイポーラトランジスタの高効率動作
High-efficiency operation of AlGaAs/GaAs power heterojunction bipolar transistors at low collector supply voltage.
著者 (5件):
MATSUOKA Y
(NTT LSI Lab., Atsugi-shi, JPN)
,
YAMAHATA S
(NTT LSI Lab., Atsugi-shi, JPN)
,
NAKATSUGAWA M
(NTT Radio Communication Systems Lab., Yokosuka-shi, JPN)
,
MURAGUCHI M
(NTT Radio Communication Systems Lab., Yokosuka-shi, JPN)
,
ISHIBASHI T
(NTT LSI Lab., Atsugi-shi, JPN)
資料名:
Electronics Letters
(Electronics Letters)
巻:
29
号:
11
ページ:
982-984
発行年:
1993年05月27日
JST資料番号:
A0887A
ISSN:
0013-5194
CODEN:
ELLEAK
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)