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文献
J-GLOBAL ID：200902177200998692
整理番号：95A0555210
GeF4-Si2H6系反応性熱CVDによるSiGe膜の成長...選択・非選択成長の検討
Study of selective and non-selective growth in GeF4-Si2H6 System.
高田賢治
(東京工大)
,
南公一郎
(東京工大)
,
大内貴之
(東京工大)
,
山本雅司
(東京工大)
,
半那純一
(東京工大)
資料名：
応用物理学関係連合講演会講演予稿集
(Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 42nd 号： Pt 2 ページ： 741 発行年： 1995年03月
JST資料番号： Y0054A 資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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