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文献
J-GLOBAL ID：200902177216743074
整理番号：96A0038843
組成勾配のあるバッファ層上に成長させSbを注入した緩和Si1-xGex合金層におけるドーパントの活性化
Dopant activation in Sb-implanted relaxed Si1-xGex alloy layers grown on compositionally graded buffers.
O’RAIFEARTAIGH C
(Aarhus Univ., Aarhus, DNK)
,
LARSEN A N
(Aarhus Univ., Aarhus, DNK)
,
CRISTIANO F
(Univ. Surrey, Surrey, GBR)
,
HEMMENT P L F
(Univ. Surrey, Surrey, GBR)
資料名：
Applied Physics. A. Materials Science & Processing
(Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 61 号： 6 ページ： 579-585 発行年： 1995年12月
JST資料番号： D0256C ISSN： 0947-8396 CODEN： APHYCC 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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