文献
J-GLOBAL ID:200902177239646661
整理番号:93A0463598
ヘテロ接合型FETのゲート電流の新モデル
A Novel Model of the Gate Current in Heterojunction FET’s.
著者 (3件):
FAWAZ H
(Univ. Sciences et Technologies de Lille, Villeneuve d’Ascq, FRA)
,
GEST J
(Univ. Sciences et Technologies de Lille, Villeneuve d’Ascq, FRA)
,
ZIMMERMANN J
(Univ. Sciences et Technologies de Lille, Villeneuve d’Ascq, FRA)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
40
号:
5
ページ:
846-851
発行年:
1993年05月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)