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文献
J-GLOBAL ID:200902177280430268   整理番号:96A0717276

n型の4H-および6H-SiCエピタキシャル層の少数キャリア寿命

The minority carrier lifetime of n-type 4H- and 6H-SiC epitaxial layers.
著者 (4件):
KORDINA O
BERGMAN J P
HALLIN C
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
JANZ<span style=text-decoration:overline>E ́</span>N E
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)

資料名:
Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)

巻: 69  号:ページ: 679-681  発行年: 1996年07月29日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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