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文献
J-GLOBAL ID：200902177280430268
整理番号：96A0717276
n型の4H-および6H-SiCエピタキシャル層の少数キャリア寿命
The minority carrier lifetime of n-type 4H- and 6H-SiC epitaxial layers.
KORDINA O
,
BERGMAN J P
,
HALLIN C
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
,
JANZ<span style=text-decoration:overline>E ́</span>N E
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 69 号： 5 ページ： 679-681 発行年： 1996年07月29日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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