文献
J-GLOBAL ID:200902177325344872
整理番号:94A0121419
The evaluation of strain relaxation in GaAsP/GaAs multilayer structure grown on misoriented GaAs substrate.
著者 (1件):
SASS J
(Inst. Electronic Materials Technology, Warsaw)
資料名:
Proceedings of SPIE
(Proceedings of SPIE)
巻:
1845
ページ:
195-198
発行年:
1993年
JST資料番号:
D0943A
ISSN:
0277-786X
CODEN:
PSISDG
資料種別:
会議録 (C)
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)