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文献
J-GLOBAL ID：200902177326929947
整理番号：99A0886603
走査型トンネル顕微鏡観察によるSi(111)上のSiO2薄膜のシンクロトロン放射刺激脱離の直接観察
Direct observation of synchrotron-radiation-stimulated desorption of thin SiO2 films on Si(111) by scanning tunneling microscopy.
MIYAMAE T
(Inst. Molecular Sci., Okazaki, JPN)
,
UCHIDA H
(Toyohashi Univ. Technol., Toyohashi, JPN)
,
MUNRO I H
(UMIST, Manchester, GBR)
,
URISU T
(Inst. Molecular Sci., Okazaki, JPN)
資料名：
Surface Science
(Surface Science)
巻： 437 号： 1/2 ページ： L755-L760 発行年： 1999年08月20日
JST資料番号： C0129B ISSN： 0039-6028 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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