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文献
J-GLOBAL ID：200902177353969403
整理番号：99A0609737
化学増幅レジスト用の新しい高透明性酸増幅剤を用いる193nmリソグラフィー
193nm Lithography with Novel Highly Transparent Acid Amplifier for Chemically Amplified Resist.
NAITO T
(Semiconductor Leading Edge Technol., Inc. (Selete), Kanagawa, JPN)
,
OHFUJI T
(Semiconductor Leading Edge Technol., Inc. (Selete), Kanagawa, JPN)
,
ENDO M
(Semiconductor Leading Edge Technol., Inc. (Selete), Kanagawa, JPN)
,
MORIMOTO H
(Semiconductor Leading Edge Technol., Inc. (Selete), Kanagawa, JPN)
,
ARIMITSU K
(Tokyo Inst. Technol., Kanagawa, JPN)
,
ICHIMURA K
(Tokyo Inst. Technol., Kanagawa, JPN)
資料名：
Journal of Photopolymer Science and Technology
(Journal of Photopolymer Science and Technology)
巻： 12 号： 3 ページ： 509-514 発行年： 1999年
JST資料番号： L0202A ISSN： 0914-9244 CODEN： JSTEEW 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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