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文献
J-GLOBAL ID:200902177581998006   整理番号:93A0890156

InAs(111)A Surface upon Various Chemical Treatments Studied by RHEED and XPS.

著者 (5件):
GALITSYN YU G
(Inst. Physics of Semiconductors, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, SUN)
MANSUROV V G
(Inst. Physics of Semiconductors, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, SUN)
POSHEVNEV V I
(Inst. Physics of Semiconductors, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, SUN)
SOKOLOV R A
(Inst. Physics of Semiconductors, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, SUN)
VALISHEVA N A
(Inst. Physics of Semiconductors, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, SUN)

資料名:
Physics, Chemistry and Mechanics of Surfaces  (Physics, Chemistry and Mechanics of Surfaces)

巻:号:ページ: 753-763  発行年: 1993年09月 
JST資料番号: D0591C  ISSN: 0734-1520  CODEN: PCMSER  資料種別: 逐次刊行物 (A)
発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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