文献
J-GLOBAL ID:200902177703174069
整理番号:01A0486814
RF分子ビームエピタクシーによる高電子移動度InNの成長
Growth of High-Electron-Mobility InN by RF Molecular Beam Epitaxy.
著者 (5件):
SAITO Y
(Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN)
,
TERAGUCHI N
(Sharp Corp., Nara, JPN)
,
SUZUKI A
(Sharp Corp., Nara, JPN)
,
ARAKI T
(Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN)
,
NANISHI Y
(Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻:
40
号:
2A
ページ:
L91-L93
発行年:
2001年02月01日
JST資料番号:
F0599B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)