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文献
J-GLOBAL ID：200902177758327212
整理番号：97A0992997
低い貫通転位密度を持つ選択成長GaN膜中の欠陥構造
Defect structure in selectively grown GaN films with low threading dislocation density.
SAKAI A
(NEC Corp., Ibaraki, JPN)
,
SUNAKAWA H
(NEC Corp., Ibaraki, JPN)
,
USUI A
(NEC Corp., Ibaraki, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 71 号： 16 ページ： 2259-2261 発行年： 1997年10月20日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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