文献
J-GLOBAL ID:200902177872823220
整理番号:94A0005137
Evolution of amorphous/crystalline interfacial roughness and end-of-range defects during solid-phase epitaxial regrowth of Ge implanted silicon.
著者 (1件):
SEIBT M
(Georg-August-Univ. Goettingen, Goettingen, DEU)
資料名:
Diffusion and Defect Data Part B. Solid State Phenomena
(Diffusion and Defect Data Part B. Solid State Phenomena)
巻:
32/33
ページ:
463-468
発行年:
1993年
JST資料番号:
T0583A
ISSN:
1012-0394
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
スイス (CHE)
言語:
英語 (EN)