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文献
J-GLOBAL ID：200902177908771671
整理番号：93A0778340
分子線エピタキシャルAlGaAs/GaAs/AlGaAs井戸の再蒸発効果と光学的性質
Re-evaporation effects and optical properties of molecular-beam-epitaxial AlGaAs/GaAs/AlGaAs wells.
WOOD C E C
(Joint Program for Advanced Electronic Materials, Univ. Maryland and Lab. Physical Sciences, Maryland)
,
TABATABAEI S A
(Joint Program for Advanced Electronic Materials, Univ. Maryland and Lab. Physical Sciences, Maryland)
,
SHELDON P
(National Renewable Energy Lab., Colorado)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 74 号： 3 ページ： 1697-1699 発行年： 1993年08月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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