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文献
J-GLOBAL ID：200902177975419672
整理番号：99A0646936
走査型プローブ法によって測定された、高エネルギーイオンビームに起因する欠陥
Defects caused by high-energy ion beams, as measured by scanning probe methods.
BIRO L P
(Res. Inst. Technical Physics and Materials Sci., Hungarian Acad. Sci., Budapest, HUN)
,
GYULAI J
(Res. Inst. Technical Physics and Materials Sci., Hungarian Acad. Sci., Budapest, HUN)
,
MARK G I
(Res. Inst. Technical Physics and Materials Sci., Hungarian Acad. Sci., Budapest, HUN)
,
DAROCZI C S
(Res. Inst. Technical Physics and Materials Sci., Hungarian Acad. Sci., Budapest, HUN)
資料名：
Micron
(Micron)
巻： 30 号： 3 ページ： 245-254 発行年： 1999年06月
JST資料番号： E0318E ISSN： 0968-4328 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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