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文献
J-GLOBAL ID：200902177978446840
整理番号：02A0641043
GaN(0001)のエピタキシャル成長に関する第一原理計算
First-Principles Calculation of the Epitaxial Growth of GaN(0001).
ISHII A
(Tottori Univ., Tottori, JPN)
,
MIYAKE D
(Tottori Univ., Tottori, JPN)
,
AISAKA T
(Tottori Univ., Tottori, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 41 号： 7B ページ： L842-L845 発行年： 2002年07月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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