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文献
J-GLOBAL ID：200902178020001343
整理番号：00A0808494
CaF2/薄膜BaF2複合絶縁膜の採用による金属-絶縁体-ダイヤモンド半導体界面の安定性の改善
Improved Stability of Metal-Insulator-Diamond Semiconductor Interface by Employing CaF2/Thin BaF2 Composite Insulator Film.
ITO A
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
TSUJI K
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
HOSOMI T
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
MAKI T
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
KOBAYASHI T
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 39 号： 8 ページ： 4755-4756 発行年： 2000年08月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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