文献
J-GLOBAL ID:200902178042718489
整理番号:02A0464661
NANDフラッシュメモリセル動作に及ぼすフローティングゲート間干渉の効果
Effects of Floating-Gate Interference on NAND Flash Memory Cell Operation.
著者 (3件):
LEE J-D
(Samsung Electronics Co., Ltd., Gyunggi-Do, KOR)
,
HUR S-H
(Samsung Electronics Co., Ltd., Gyunggi-Do, KOR)
,
CHOI J-D
(Samsung Electronics Co., Ltd., Gyunggi-Do, KOR)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
23
号:
5
ページ:
264-266
発行年:
2002年05月
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)