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文献
J-GLOBAL ID：200902178154971357
整理番号：98A0250293
磁場影響下でフェムト秒光パルス照射された半導体からの高平均パワーTHz放射
High average power THz-radiation from femtosecond optical-pulse irradiated semiconductors under the magnetic field.
OHTAKE H
(Inst. Molecular Sci.(IMS), Okazaki, JPN)
,
IZUMIDA S
(Inst. Molecular Sci.(IMS), Okazaki, JPN)
,
LIU Z
(Inst. Molecular Sci.(IMS), Okazaki, JPN)
,
YAMANAKA T
(Inst. Molecular Sci.(IMS), Okazaki, JPN)
,
SARUKURA N
(Inst. Molecular Sci.(IMS), Okazaki, JPN)
資料名：
Conference Proceedings. IEEE LEOS Annual Meeting (IEEE Lasers and Electro-Optics Society)
(Conference Proceedings. IEEE LEOS Annual Meeting (IEEE Lasers and Electro-Optics Society))
巻： 10th 号： Vol.2 ページ： 364-365 発行年： 1997年
JST資料番号： T0931A ISSN： 1092-8081 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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