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文献
J-GLOBAL ID：200902178171029312
整理番号：93A0210268
方位不整合基板上に成長した4元量子井戸を有する637nm AlGaInP多重量子井戸レーザの高温動作
High-temperature operation of 637nm AlGaInP MQW laser diodes with quaternary QWs grown on misoriented substrates.
TANAKA T
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
YANAGISAWA H
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
YANO S
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
MINAGAWA S
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
資料名：
Electronics Letters
(Electronics Letters)
巻： 29 号： 1 ページ： 24-26 発行年： 1993年01月07日
JST資料番号： A0887A ISSN： 0013-5194 CODEN： ELLEAK 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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