文献
J-GLOBAL ID:200902178231624142
整理番号:93A0761755
Damage introduction in GaAs/AlGaAs and InGaAs/InP heterojunction bipolar transistor structures during electron cyclotron resonance plasma processing.
著者 (7件):
REN F
(AT&T Bell Lab., New Jersey)
,
FULLOWAN T R
(AT&T Bell Lab., New Jersey)
,
PEARTON S J
(AT&T Bell Lab., New Jersey)
,
LOTHIAN J R
(AT&T Bell Lab., New Jersey)
,
ESAGUI R
(AT&T Bell Lab., New Jersey)
,
ABERNATHY C R
(AT&T Bell Lab., New Jersey)
,
HOBSON W S
(AT&T Bell Lab., New Jersey)
資料名:
Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films
(Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻:
11
号:
4 Pt 2
ページ:
1768-1771
発行年:
1993年07月
JST資料番号:
C0789B
ISSN:
0734-2101
CODEN:
JVTAD6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)