文献
J-GLOBAL ID:200902178326946317
整理番号:93A0615630
イオンビーム技術によるMOCVDによって成長したHg1-xCdxTeの研究
Study of MOCVD grown Hg1-xCdxTe by ion beam techniques.
著者 (4件):
JOHNSTON P N
(Royal Melbourne Inst. Technology, Melbourne, AUS)
,
RUSSO S P
(Royal Melbourne Inst. Technology, Melbourne, AUS)
,
ELLIMAN R G
(Australian National Univ., Canberra, AUS)
,
PAIN G N
(EpiCrystal Supplies Pty. Ltd., Monbulk, AUS)
資料名:
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms
(Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms)
巻:
79
号:
1/4
ページ:
490-492
発行年:
1993年06月
JST資料番号:
H0899A
ISSN:
0168-583X
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)