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文献
J-GLOBAL ID：200902178347175191
整理番号：93A0811232
Raman分光を用いたシリコン基板上のシリコン-ゲルマニウムエピ層の歪研究
Strain studies of silicon-germanium epilayers on silicon substrates using Raman spectroscopy.
LU F
(Northeastern Univ., Massachusetts)
,
PERRY C H
(Northeastern Univ., Massachusetts)
,
NAMAVAR F
(Spire Corp., Massachusetts)
,
ROWELL N L
(National Research Council, Ottawa, CAN)
,
SOREF R A
(Rome Lab., Massachusetts)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 63 号： 9 ページ： 1243-1245 発行年： 1993年08月30日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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