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文献
J-GLOBAL ID：200902178605121280
整理番号：95A0605301
信頼性の高い256Mビットおよび1GビットDRAM用高製造性プロセス技術
Highly Manufacturable Process Technology for Reliable 256Mbit and 1Gbit DRAMs.
KANG H K
(Samsung Electronics Co., LTD., Kyungki-Do., KOR)
,
KIM K H
(Samsung Electronics Co., LTD., Kyungki-Do., KOR)
,
SHIN Y G
(Samsung Electronics Co., LTD., Kyungki-Do., KOR)
,
PARK I S
(Samsung Electronics Co., LTD., Kyungki-Do., KOR)
,
KO K M
(Samsung Electronics Co., LTD., Kyungki-Do., KOR)
,
KIM C G
(Samsung Electronics Co., LTD., Kyungki-Do., KOR)
,
OH K Y
(Samsung Electronics Co., LTD., Kyungki-Do., KOR)
,
KIM S E
(Samsung Electronics Co., LTD., Kyungki-Do., KOR)
,
LEE M Y
(Samsung Electronics Co., LTD., Kyungki-Do., KOR)
資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 1994 ページ： 635-638 発行年： 1994年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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