文献
J-GLOBAL ID:200902178724880601
整理番号:93A0696960
As<sup>+</sup>及びSb<sup>+</sup>イオンを注入しアニールした<100>Siの歪分布
Strain distribution in As+ and Sb+ ion implanted and annealed 〈100〉 Si.
著者 (4件):
HORVATH Z E
(KFKI Research Inst. Materials Science, Budapest, HUN)
,
PETO G
(KFKI Research Inst. Materials Science, Budapest, HUN)
,
ZSOLDOS E
(KFKI Research Inst. Materials Science, Budapest, HUN)
,
GYULAI J
(KFKI Research Inst. Materials Science, Budapest, HUN)
資料名:
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms
(Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms)
巻:
80/81
号:
Pt 1
ページ:
552-555
発行年:
1993年06月
JST資料番号:
H0899A
ISSN:
0168-583X
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)